发布日期：2024-12-20 02:48 点击次数：87
IT之家 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。
据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。
中金发布研报指出，公司融资渠道的拓展将为后续季度AI算力投入提供更加充分的支撑。据估算，自3Q23以来的一年中，公司资本开支投入金额超过人民币36亿元，主要投入于AI算力。该行续指，公司持续受益于小米及金山生态需求放量。过去两年，在头部外部大客户需求收缩背景下，公司将基础设施及产研资源重新向生态内客户聚焦。2023年下半年，小米时隔五年重回金山云第一大客户；1H24，小米及金山集团占金山云总收入比例达19%，其中小米占总收入约15%。作为小米及金山生态唯一的战略级算力服务平台，预计金山云有望率先受益于生态客户AI业务布局带来的资源需求增量。
SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”
据介绍，SK 海力士在此次产品开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。
IT之家查询获悉，该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将 3 个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。
此外，SK 海力士技术团队也将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台应用于 321 层配资实操盘，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了 59%。
